本发明公开了一种双大马士革结构的制造方法，其包括半导体结构上形成沟槽；形成沟槽两侧的通孔；以金属掩膜层为掩膜，刻蚀沟槽下的部分低介电常数层，形成圆弧型或斜边型斜面，并打开通孔，形成双大马士革结构；以含有CF₄的气体并以高偏置功率对具有圆弧型或斜边型斜面的低介电常数层进行刻蚀，形成Z字型斜面。本发明通过预处理形成具有小尺寸斜面的低介电常数层边缘，随后进一步刻蚀以增大斜面尺寸，最终得到大尺寸斜面，本发明提高了双大马士革结构后续沉积能力，并提高了半导体元器件的可靠性性能。