本发明公开了一种无结薄膜晶体管的制作方法。该方法包括：首先，在绝缘衬底上依次沉积导电层、栅介质层与重掺杂半导体层；然后采用激光烧蚀工艺对得到的三层膜结构进行两类激光图形化开槽，分别形成用于分离源、漏电极与栅电极的第一隔离带，以及分离薄膜晶体管单元的第二隔离带，从而获得无结薄膜晶体管阵列。与现有技术相比，本发明只需要简单的三层薄膜沉积与激光选择性图形化烧蚀工艺，即可获得大面积无结薄膜晶体管阵列，极大地简化了制作工艺流程，降低了制作成本，在平板显示和便携式电子器件等领域具有十分广阔的应用前景。