一种MEMS器件的接触插塞及其形成方法，所述方法先通过控制第一干法刻蚀的工艺参数，在硬掩模层及第二介质层内形成，沿着从硬掩模层至半导体材料层的方向口径逐渐减小的第一开口；然后，利用第二干法刻蚀在半导体材料层内形成第二开口；接着，利用第三干法刻蚀在第一介质层内形成第三开口，借助所述第三干法刻蚀的作用能够同时刻蚀第一开口的侧壁，使得第二介质层中第一开口的口径增大以露出下方的半导体材料层；接着，以第二介质层为掩模、利用第四干法刻蚀，至少使部分深度的第二开口口径增大，使得接触孔为上宽下窄的形状。解决了现有MEMS器件的接触插塞的导电性能不佳的问题。