本发明涉及一种VCSEL阵列，其包括在公共衬底（1）上并排布置的若干VCSEL。每个VCSEL至少由顶部镜（5，14）、有源区（4）、电流注入层（3）和未掺杂的底部半导体镜（2）形成。所述电流注入层（3）设置在所述有源区（4）与所述底部半导体镜（2）之间。所述衬底（1）的至少上层是导电的。沟槽（8）和/或孔在所述VCSEL的所述底部半导体镜（2）之间形成到所述衬底（1）的所述上层。金属化部（9）通过所述沟槽（8）和/或孔将所述衬底（1）的所述上层与所述电流注入层（3）电连接。所提出的VCSEL阵列允许均匀的电流注入并且具有高的效率和功率密度。