本发明公开了一种沿面击穿型真空开关的触发电极，包括低压极、钼套圈、陶瓷管、金属触发极、钼环、半导体涂敷层、触发极凹槽，陶瓷管设置于低压极及钼套圈中心处的贯穿孔中，并与钼套圈紧密接触，用于保证低压极与金属触发极之间的电气绝缘，金属触发极设置于陶瓷管及钼环中心处的贯穿孔中，用于保证钼环与金属触发极等电位，钼环设置于陶瓷管的上部，半导体涂覆层设置于钼套圈与钼环之间陶瓷管的管壁上,半导体涂覆层的方向与高压极施加的间隙电场方向一致，触发极凹槽设置于钼套圈、钼环、半导体涂覆层外围的低压极上。本发明能够解决现有触发电极存在的使用寿命短、耐高温性能不佳、容易烧蚀损坏的问题。