本发明提供一种通孔的刻蚀方法，包括：将从下到上依次层叠的含有铜金属层的半导体衬底、刻蚀停止层和层间介质层的表面涂覆光刻胶，并放入反应腔内；对光刻胶和中间层介质进行刻蚀；经终端探测系统探测到层间介质层刻蚀完毕，调节偏压功率为零，通入含氟气体和辅助气体的混合气体对刻蚀停止层进行刻蚀，直至将铜金属层表面的刻蚀停止层去除。本发明通过在刻蚀过程中采用大量的辅助气体和少量的含氟气体所形成混合气体作为刻蚀气体，含氟气体起到主要的刻蚀作用，辅助气体起到移除刻蚀的侧壁上的聚合物和稀释气体的目的，同时配合零偏压功率，这样可以有效避免刻蚀过程中刻蚀不均匀的现象，从而提高刻蚀速率和刻蚀工艺的效率。