本发明涉及一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一：将氯铂酸与异丙醇按照1g：10-100ml比例进行混合，混合后在常温下静置大于24小时；步骤二：将静置后的混合溶液用毛笔涂覆在硅片表面上，硅片涂覆后在常温下放置大于2小时；步骤三：将上述硅片放入通有N₂的高温扩散炉内进行900-1000℃高温处理大于15分钟。本发明改变了传统的物理方式淀积Pt工艺，将化学方式淀积Pt工艺应用到Pt掺杂工艺当中，不仅降低了生产成本，也减小了生产投入资金，利于大规模生产制造。