本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，所述的存储电极、所述的薄膜晶体管的半导体层和所述的像素电极为金属氧化物IGZO、IZO或ZnO。本发明的方案是利用IGZO氧化物半导体制程的控制，在不增加光罩制程以及材料的情况下，达到大幅提升像素的开口率，符合产业针对画质以及节能省电的需求。