本发明提供一种MOS晶体管及其制造方法，其中，所述方法包括：提供单晶硅衬底；刻蚀所述单晶硅衬底，以在所述单晶硅衬底中形成有源槽；在所述有源槽内形成第一氧化硅层；形成第一单晶硅层，所述第一单晶硅层覆盖所述第一氧化硅层；形成隔离层，所述隔离层覆盖所述单晶硅衬底及第一单晶硅层；刻蚀所述隔离层，以暴露出第一单晶硅层；形成半导体层，所述半导体层覆盖所述第一单晶硅层；在所述半导体层上形成栅极结构；以及在所述栅极结构两侧形成源/漏极。由此，实现了所形成的MOS晶体管兼具SOI衬底的优良性能及体硅衬底的价廉的优点。