本发明公开了一种高速记忆芯片模块和电子系统装置。该高速记忆芯片模块包含一种型式的记忆单元数组组和一逻辑单元。该型式的记忆单元数组组包含多个记忆单元数组集成电路，该至少一记忆单元数组是有关于第一金属氧化物半导体晶体管栅极长度。该逻辑单元通过第一传输总线存取该型式的记忆单元数组组，且该第一传输总线的总线宽度是大于每一记忆单元数组集成电路的数据总线的总线宽度。该逻辑单元是有关第二金属氧化物半导体晶体管栅极长度，且该第一金属氧化物半导体晶体管栅极长度是大于该第二金属氧化物半导体晶体管栅极长度。因此，本发明具有较高的传输效率、电磁干扰的屏蔽效果、较佳的散热能力和隔离外界噪声的功能。