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一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管
编号:S000019876 刷新日期: 有效日期至:2020-09-29 浏览:2241 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管,涉及液晶显示领域。其中薄膜晶体管包括:一衬底基板;形成在所述衬底基板上的立体结构的栅电极;覆盖所述栅电极的栅绝缘层;形成在所述栅绝缘层上的半导体层;形成在所述半导体层上的缓冲层;形成在所述缓冲层上的源漏电极,所述薄膜晶体管形成的沟道为立体结构。本发明的方案可以降低驱动电压减少驱动电路功耗,减少TFT占用面积增加通光率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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