本发明提供了一种高粘度光刻胶的涂布方法，通过在预润湿半导体衬底的表面之后，依次采用三个不同的旋转速度和不同的旋转时间来涂布光刻胶，首先，第一转速小于第二转速，而第一旋转时间大于第二旋转时间；其次，第三转速小于第一转速，而第三旋转时间大于第一旋转时间。由此，在向半导体衬底表面输送光刻胶之后，提高第一转速，并且在很短的时间内旋转半导体衬底，它的作用是均匀涂布光刻胶，避免产生‘风旋’缺陷。采用第二转速的过程中，半导体衬底中心位置的高粘度光刻胶向半导体衬底边缘转移，经过第二旋转时间后，降低转速至第三转速，从而使得形成的光刻胶层在半导体衬底的各个位置的厚度均相同，从而提高光刻工艺的精度和质量。