本发明提供一种制备SOI上双层隔离混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法。本发明采用第一半导体纳米线MOSFET为NMOSFET，第二半导体纳米线MOSFET为PMOSFET的结构设计，有效减小PMOSFET的接触孔电阻以提高PMOSFET性能。