本发明公开了一种具有低正向偏置集成二极管的高电子迁移率晶体管。其中，该高电子迁移率晶体管包括：源极；栅极；漏极；具有二维电子气（2DEG）的第一III-V族半导体区，该二位电子气提供在源极和漏极之间的、由栅极控制的第一导电沟道；以及在第一III-V族半导体区下方并具有连接至源极或漏极且不由栅极控制的第二导电沟道的第二III-V族半导体区。第一和第二III-V族半导体区由具有不同于第一和第二III-V族半导体区带隙的高电子迁移率晶体管区将其互相隔开。