一种低电容层积型芯片变阻器，其包括具有特殊微观结构的过电压保护材料，该过电压保护材料包含10~30wt%多孔陶瓷基材、65~80wt%微米级导体和半导体微粒和5~10wt%纳米级导体和半导体微粒；尤其，该多孔陶瓷基材的内部布满微细开孔，且所述微米级导体和半导体微粒以一级分散均匀散布于该多孔陶瓷基材的内部，而所述纳米级导体和半导体微粒以二级分散散布于所述微细开孔之间以及一级分散的微米级导体和半导体微粒之间，该特殊微观结构使得该过电压保护材料具备抑制过电压和耐数千次以上的8KV静电冲击的能力，因此所述低电容层积型芯片变阻器适合在高湿环境或／和高频电路中使用。