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> 技术详情
一种氧化镉基透光波段可调的导电薄膜制备方法
编号:S000020801
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-19
浏览:
2435
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供了一种氧化镉(CdO)基透光波段可调的导电薄膜制备方法。该方法的核心技术是导电薄膜的透光波段与导电薄膜中铟(In)组分的含量相关,In组分含量的变化与磁控溅射靶材、溅射功率,与靶材和基片之间的距离相关,导电薄膜厚度与薄膜沉积时间长短相关。该方法以双面抛光玻璃基片为衬底,将两种靶材的溅射参数调至设计数值,进行溅射沉积:测量获得透明导电薄膜中In的含量。本发明所制备的不同铟(In)含量的氧化镉(CdO)基透明导电薄膜,可供不同半导体材料体系太阳能电池选用,使光谱响应范围内的太阳光更多地射入太阳能电池半导体结构中,从而可最大限度地提高太阳能电池的光利用效率,在太阳能电池、光电探测等光电功能材料和器件领域中具有良好的应用前景。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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