本发明涉及一种改善有源区损伤的方法，该方法包括：提供一设置有多晶硅层的硅衬底；对所述多晶硅层进行预注入离子工艺后，沉积PETEOS氧化膜覆盖所述多晶硅层的表面；以所述氧化膜为硬掩膜刻蚀所述多晶硅层，形成多晶硅栅极。本发明通过将半导体器件上采用等离子体增强化学气相沉积工艺制备PETEOS氧化膜作为多晶硅刻蚀工艺中的硬掩膜，使得在刻蚀形成多晶硅栅极的过程中，能够避免硬掩膜与预注入离子互相反应后引起的团聚现象，进而有效避免刻蚀工艺后对半导体器件有源区的损伤；同时本发明由于采用了PETEOS氧化膜作为多晶硅硬掩膜，还间接省略了预注入离子工艺后的热处理工艺步骤，起到节省工艺时间的有益效果。