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> 技术详情
CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法
编号:S000019576
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-06
浏览:
2435
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法,其中,所述CMOS图像传感器的像素结构,包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的传输晶体管,所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构;位于栅极结构的一侧的半导体衬底内的光电二极管,所述光电二极管包括位于半导体衬底内的深掺杂区,所述深掺杂区为梳状结构,所述梳状结构包括梳柄和与梳柄相连的若干分立的梳齿,梳柄靠近传输晶体管的栅极结构,梳齿远离传输晶体管的栅极结构;位于栅极结构的另一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。本发明的CMOS图像传感器的像素结构光电子易于向浮置扩散区传输,成像质量高。
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认证方式:
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