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CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法
编号:S000019576 刷新日期: 有效日期至:2020-12-06 浏览:2435 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法,其中,所述CMOS图像传感器的像素结构,包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的传输晶体管,所述传输晶体管包括位于半导体衬底上的栅极结构;位于栅极结构的一侧的半导体衬底内的光电二极管,所述光电二极管包括位于半导体衬底内的深掺杂区,所述深掺杂区为梳状结构,所述梳状结构包括梳柄和与梳柄相连的若干分立的梳齿,梳柄靠近传输晶体管的栅极结构,梳齿远离传输晶体管的栅极结构;位于栅极结构的另一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。本发明的CMOS图像传感器的像素结构光电子易于向浮置扩散区传输,成像质量高。
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