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四氮杂靴二蒽化合物及其作为n-型半导体的用途
编号:S000019539 刷新日期: 有效日期至:2020-11-12 浏览:2483 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种式(I)的四氮杂靴二蒽化合物,其中:R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8在每次出现时独立地选自H、Cl和Br,条件是R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个为Cl或Br,R9、R10在每次出现时独立地选自H、C1-30烷基、C1-30卤代烷基、C6-14芳基、具有5至14个环原子的杂芳基和C7-20芳基烷基,其中芳基、杂芳基和芳基烷基可任选地经一个或多个以下基团取代:卤素、C1-4卤代烷基、-CN、-NO2、-CHO、-COOH、-CONH2、-CO(C1-14烷基)、-COO(C1-14烷基)、-CONHC(C1-14烷基)和-CON(C1-14烷基)2基团。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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