本申请公开了一种FinFET及其制造方法，该FinFET包括：蚀刻停止层，位于半导体衬底上；半导体鳍片，位于蚀刻停止层上；栅极导体层，沿着垂直于鳍片的延伸方向而延伸，并且至少覆盖半导体鳍片的两个侧面；栅极介质层，夹在栅极导体层和半导体鳍片之间；源区和漏区，位于半导体鳍片的两端；以及绝缘间隔层，在栅极介质层的下方与蚀刻停止层邻接，用于将栅极导体层与蚀刻停止层和半导体鳍片电隔离。该FinFET的鳍片高度大致等于用于形成半导体鳍片的半导体层的厚度。