本发明公开了一种超级结器件，器件的终端结构的各第二沟槽的四角的拐角连线设置为由多条互相垂直的第一短边和第二短边交替连接的结构，且使第一短边和第二短边和电流流动区的第一沟槽平行或垂直，能使得各第一沟槽的侧壁和底部的晶面指数、各第二沟槽各位置处的侧壁和底部的晶面指数和半导体基底的晶面指数都属于同一晶面族。本发明能实现第二沟槽的拐角处的外延层填充速率和沟槽的其它位置处的外延层填充速率都相同，从而能实现沟槽的各处的外延层均匀填充，能消除第二沟槽的拐角处由于填充不均匀而产生的缺陷，从而能提高器件的性能。