本发明提出一种混合三维晶体管及其形成方法，该晶体管包括：衬底；绝缘层；形成在绝缘层之上的平面半导体结构；形成在平面半导体结构之上的半导体FIN，其中，半导体FIN的高度大于平面半导体结构的高度，半导体FIN的宽度小于平面半导体结构的宽度，半导体FIN的长度小于平面半导体结构的长度；两个斜坡台面，两个斜坡台面分别位于半导体FIN的两侧，斜坡台面的底部与平面半导体结构相连；栅介质，其包覆平面半导体结构的上表面和侧面以及半导体FIN的各个侧面；栅电极，其位于栅介质上方并且包覆平面半导体结构和半导体FIN；以及源漏区接触，其位于两个斜坡台面的上方。本发明的晶体管解决了FINFET器件驱动电流不能连续变化的难题,并且制备方法简单可行。