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薄膜晶体管
编号:S000019487 刷新日期: 有效日期至:2020-11-03 浏览:2210 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明是有关于一种薄膜晶体管,此薄膜晶体管包括栅极、半导体层、绝缘层、源极以及漏极。半导体层具有相对的第一端与第二端。绝缘层配置于栅极与半导体层之间。源极夹持半导体层的第一端,且漏极夹持半导体层的第二端。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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