本发明涉及半导体面发射激光器及其制备方法和应用，有源层采用应变五量子阱，下分布式布拉格反射镜DBR层采用二元N型AlAs/GaAs对，上分布式布拉格反射镜DBR层仍采用常规三元N型Al0.92Ga0.08As/Al0.12Ga0.88As的DBR，有源层下面几对采用类似结构，顶部利用高导热层AlN层，台面两侧和台上设置覆盖铜层，氧化孔尺寸约18μm，利用bcb层降低器件的电容，制备方法通过改进工艺步骤，提高面发射激光器的整体散热水平；有效解决较大功率面发射激光器散热问题，把面发射激光器功率提高一个量级，使面发射激光器在材料特性上改善，提高工作寿命和工作可靠性，实现1-3km内自由空间通信。