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> 技术详情
半导体多孔氧化铋纳米球及其制备方法和应用
编号:S000019201
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-09
浏览:
3203
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 湖北
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种可见光响应纳米光催化半导体材料的制备方法,其为具有均一多孔结构、尺寸,且具有良好分散性的纳米球,直径为60-120nm,为下述方法所得产物,包括有以下步骤:1)将铋源与去离子水配成溶液,然后向溶液中加入表面活性剂;2)将双氧水加入到步骤1)所得混合溶液中,得到的溶液转入反应釜中,反应,得到土黄色前驱体溶液;3)将得到的前驱体溶液自然冷却后洗涤,并置于烘箱中烘干;4)将烘干后得到的前驱体研磨均匀后放入管式炉中,煅烧,即得。本发明的有益效果是:该材料作为降解污染物材料,表现出优异的降解性能、较窄的能带间隙和较好的循环稳定性。本发明工艺简单,符合绿色化学的要求,利于市场化推广。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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