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> 技术详情
一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法
编号:S000019106
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-01
浏览:
2271
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种新型的金属氧化物半导体纳米材料的制备方法。通过脉冲直流电源对置于水中的两根金属电极供电以在两电极之间产生等离子体放电,在放电产生的高能量等离子体对金属电极表面进行持续溅射攻击下,从电极表面形成的金属原子或金属原子团簇进入水中,随后经过原位氧化和附着生长形成了具有独特形貌的金属氧化物纳米材料。该方法在常温常压开放体系中运作,实验设备要求简单,可操作性强,且产物纯度高。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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