本发明公开了改善半导体器件负偏压温度不稳定性的方法，通过采用四步等离子体注入工艺，且每步等离子体注入工艺的等离子注入能量和注入剂量不同，从而使有源区内部的浓度梯度更加均匀，降低了有源区内部的电场强度，并且采用氟离子取代氢离子，形成较为稳定的硅氟键，降低了界面陷阱电荷的形成，从而增强了界面结构的稳定性，最大程度的改善半导体器件的负偏压温度不稳定性效应，进而延长了半导体器件的工作寿命。