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Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺
编号:S000018863 刷新日期: 有效日期至:2021-01-01 浏览:2356 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及热电材料领域,是一种Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的部分Ag和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素,所述Zn元素在所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的摩尔分数为0.0125~0.05。所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体的化学式为Ag1-xIn1-xZn2xSe2,其中0.025≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备,工艺简单;采用金属元素Zn等摩尔替换Ag-In-Zn-Se四元热电合金中Ag和In元素,成本较低;材料具有环保特性,无噪音,适合作为一种绿色能源材料使用。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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