本发明所涉及的布线缺陷检查方法中，获取半导体基板的短路路径的电阻值，将基于所获取的该电阻值而确定的电压施加于具有该缺陷部的该半导体基板，使该缺陷部发热并温度上升，利用红外线摄像机拍摄该缺陷部发热而温度上升的半导体基板。