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一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
编号:S000018795 刷新日期: 有效日期至:2020-10-07 浏览:3222 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管,包括:兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构,所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上,超结结构设在N型硅掺杂半导体区上,所述的超结结构由相互间隔的P型柱和N型柱组成,在P型柱上有第一P型掺杂半导体区,且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内,在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区,其特征在于,在N型柱表面有轻掺杂的P型埋层,且P型埋层在N型柱内。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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