一种提高晶体硅基体有效寿命的吸杂方法，采用磷源对去除表面损伤层的晶体硅基体进行重磷扩散吸杂后，将磷吸杂后的晶体硅基体去除磷扩散层并进行后续工序即可，重磷扩散吸杂包括磷扩散恒温过程以及磷吸杂的二段降温过程，磷扩散恒温过程时恒温区的温度为800℃~950℃，时间为30~50min，磷吸杂的二段降温过程中，第一段的温度范围为950~800℃，处理时间为5~30min，第二段的温度范围为800~700℃，处理时间为30~90min，降温速率均为2~10℃/min，该方法可提高光生载流子的有效寿命，增加太阳能电池光电转化效率，能完全与现有的太阳能电池生产工艺相兼容，可直接应用于太阳能电池的大规模生产。