本发明的技术问题是提供能够稳定地抑制静电的半导体晶片等加工用粘附带。本发明的半导体晶片等加工用粘附带（切割带）（100）具备基层（200）和粘附层（300）。粘附层（300）形成在基层（200）上。另外，粘附层（300）含有使该粘附层（300）固化的固化成分。基层（200）主要由树脂构成。树脂中混炼有高分子型防静电剂。高分子型防静电剂的MFR，按照JIS K7210在190℃、21.18N的测定条件下测定时为10.0g/10min以上15.0g/10min以下。