本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的电子传输层和电子供给层；形成在电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极；以及包埋电极，该包埋电极被提供独立于栅电极、源电极和漏电极的电位以控制缓冲层的电位。