本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括一衬底、一第一导电型的阱区、一第二导电型的阱区、一本体区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一场板。第一导电型的阱区与第二导电型的阱区分别形成于衬底中。本体区形成于第二导电型的阱区中。第一与第二掺杂区分别形成于第一导电型的阱区中与本体区中。第二掺杂区与第一掺杂区的极性相同，且第二掺杂区的杂质浓度大于第一掺杂区的杂质浓度。第三掺杂区形成于第二导电型的阱区，且位于第一与第二掺杂区之间。第三掺杂区与第一掺杂区的极性相反。场板形成于第二与第三掺杂区之间的表面区域。