本发明提供了一种半导体结构的形成方法及处理方法，所述半导体结构包括低介电材料层、位于所述低介电材料层内的通孔或沟槽、填充在所述通孔或沟槽内的金属材料，所述处理方法用于减小所述半导体结构的互连寄生电阻电容，包括：对所述金属材料两侧的所述低介电材料层进行热处理；对热处理后的所述低介电材料层进行氮气处理。本发明通过加热作为层间介质层的低介电材料层减小了半导体结构的互连寄生电容电阻，再通过氮气处理使得其效果稳定不变。