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具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及方法
编号:S000018591 刷新日期: 有效日期至:2020-09-26 浏览:1970 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开一种具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对,用以调节输入电压与最佳化一低电磁干扰回路,其具有一下导线架与一上导线架可同时散逸由两金属氧化物半导体场效应晶体管所产生的热能而达到极佳的散热功能,并可于该下导线架与该上导线架以焊料、银环氧树脂或金球电性连接两金属氧化物半导体场效应晶体管而达成极佳的结构适应性,且该上导线架可堆叠如绝缘栅双极型晶体管、二极管、电感器、扼流器与散热器等装置,以形成有效的系统级封装模块;及提供一种简单、省时、适应性高、低成本与易使用的制造该具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对的方法。
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