一种堆栈半导体装置及其制造方法。提供一第一半导体单元，其具有不是极化平面的第一表面。在第一表面上形成至少一凹坑，该凹坑具有第二表面，且第二表面的延伸方向与第一表面的延伸方向具有一夹角。在第二表面上形成一极化增强的隧穿结层，并且在隧穿结层上形成第二半导体单元。