提供一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有水平表面（15）的半导体本体（40）。在水平表面（15）上形成外延硬掩膜。通过相对于外延硬掩膜在水平表面（15）上选择性外延形成外延区域（2a，3），使得外延区域（2a，3）适应于外延硬掩膜。在半导体本体（40）中形成垂直沟槽（18，19）。在垂直沟槽（18，19）的下部形成绝缘场板（12）且在绝缘场板（12）上方形成绝缘栅电极（11）。而且，提供一种用于形成场效应半导体器件的方法。