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热电半导体温度传感片的单臂结构的制备工艺
编号:S000018583 刷新日期: 有效日期至:2020-12-19 浏览:3097 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种热电半导体温度传感片的单臂结构的制备工艺,是针对解决现有同类产品因内部的热应力较大而出现热裂的技术问题。该热电半导体温度传感片的单臂结构包括热电半导体,及位于热电半导体两端的Cu导流片。其制备步骤为:由热电半导体的端部至Cu导流片表面依次喷Ni层、镀Ni层、镀Sn95Ag5层,以Sn95Ag5作为焊剂,将得到的热电半导体镀Sn95Ag5层的端面钎焊至Cu导流片上,最后将制得的热电半导体单臂在真空环境中退火。这一单臂结构热稳定性好,解决了热电半导体温度传感器中热裂的问题,延长了温度传感器的寿命。适合作为各类热电半导体温度传感片的单臂结构使用。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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