一种半导体衬底及其制作方法，该半导体衬底包括支撑衬底，依次位于该支撑衬底上的多晶硅层、第一氧化层和半导体层，所述支撑衬底为重掺型硅衬底，该支撑衬底的杂质掺杂浓度使得支撑衬底的电阻率处于10^-3Ω﹒cm的量级，所述多晶硅层同样可以导电性或绝缘性的多晶硅。该半导体衬底结构通过与SOI相反的设计思路，将支撑衬底用的底硅设计成重掺之后的导电性衬底，利用该导电性衬底实现接地效果，不仅避免了漏电电流和功率损耗问题，而且还能提供更多的半导体器件的电极连接方案和散热解决方案。