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光伏元件及其制造方法
编号:S000019842 刷新日期: 有效日期至:2020-10-24 浏览:2316 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种光伏元件及其制造方法。本发明的光伏元件包含半导体结构组合以及保护层。半导体结构组合具有多个侧表面,并且包含p-n接面、n-p接面、p-i-n接面、n-i-p接面、双接面或多重接面。特别地,保护层形成以被覆半导体结构组合的多个侧表面。藉此,保护层能有效地抑制本发明的光伏元件发生电势诱发衰减效应。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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