本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）基底的处理；（2）氧化物载体的制备；（3）催化剂（前驱体）的负载；（4）由氧化物载体负载的催化剂溶液的制备；（5）半导体选择性单壁碳纳米管的化学气相沉积生长。根据本发明的方法，能够选择性生长半导体性单壁碳纳米管，拉曼光谱的检测结果显示半导体性单壁碳纳米管的选择性非常好。而且，所得碳纳米管具有良好的取向选择性，并具有良好的直径选择性，直径主要分布于1.1-2.5纳米之间。