本发明的氮化物半导体装置具备：在氮化物半导体层之上形成的第1电极布线层以及第2电极布线层、在第1电极布线层以及第2电极布线层之上形成且具有第1开口部的第1绝缘膜、在第1绝缘膜之上形成且经由第1开口部而与第1电极布线层以及第2电极布线层分别连接的第1布线层(17a)以及第2布线层(17b)、在第1布线层以及第2布线层之上形成且具有第2开口部的第2绝缘膜(18)、和在第2绝缘膜之上形成且经由第2开口部而与第1布线层以及第2布线层分别连接的第1焊盘层(22a)以及第2焊盘层(22b)。