本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩模对半导体结构进行应力引发离子的注入，在栅极结构的两侧形成位于所述SOI衬底的BOX层之下的应力引发区。相应地，本发明还提供了一种根据上述方法形成的半导体结构。本发明提供的半导体结构及其制造方法在接地层形成应力引发区，所述应力引发区为半导体器件的沟道提供了有利应力，有助于提升半导体器件的性能。