本发明提供了一种量子阱半导体及其制造方法。该量子阱半导体包括从内向外依次设置的衬底、浅量子阱层、多量子阱发光层，浅量子阱层包括：至少四个InGaN层，靠近衬底的一个InGaN层为第一InGaN层；GaN层，与InGaN层等数量且交叉叠置，靠近衬底的一个GaN层为第一GaN层，第一GaN层设置在衬底与第一InGaN层之间，且第一InGaN层中In的含量为1.95E+19～2.7E+19cm^-3，第一InGaN层之外的各InGaN层中In的含量大于3.0E+19cm^-3且沿远离衬底的方向递增。该浅量子阱层可以防止反向电流过大，有利于电子通过降低正向电压，减少芯片工作时发热量，提高发光效率。