本发明涉及能稳定地形成使半导体激光器高输出化的窗结构的半导体激光器的制造方法。在n型GaAs基板（1）上依次形成n型包覆层（2）、活性层（3）、p型包覆层（4）以及p型接触层（5）。形成仅在端面附近的窗区域与p型接触层（5）相接触并从p型接触层（5）吸收Ⅲ族原子以促进Ⅲ族空位的产生的促进膜（8）。向窗区域的p型接触层（5）注入离子，造成损伤。在形成促进膜（8）并注入了离子之后，进行热处理，由此，使Ⅲ族空位扩散，在窗区域使活性层（3）无序化，形成窗结构（13）。