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> 技术详情
半导体器件、PFC电路、电源装置和放大器
编号:S000018397
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-09
浏览:
3047
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及半导体器件、PFC电路、电源装置和放大器。具体而言,一种具有晶体管区域和浪涌保护器区域的半导体器件包括:衬底;形成在衬底上的第一半导体层;形成在第一半导体层上的第二半导体层;形成在晶体管区域中的第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极;形成在浪涌保护器区域中的第二半导体层上的浪涌保护器第一电极、浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极,其中源电极和浪涌保护器第二电极彼此连接,其中漏电极和浪涌保护器第三电极彼此连接,其中浪涌保护器第一电极形成在浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极之间,其中浪涌保护器第一电极和浪涌保护器第三电极之间的距离小于栅电极和漏电极之间的距离。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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