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> 技术详情
等离子体单元以及制造等离子体单元的方法
编号:S000019711
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-26
浏览:
2446
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及等离子体单元和制造等离子体单元的方法。等离子体单元以及用于制作等离子体单元的方法被公开。根据本发明的实施例,单元包括半导体材料、被部署在半导体材料中的开口、给开口的表面加衬里的介电层、使开口闭合的覆盖层、邻近开口部署的第一电极和邻近开口部署的第二电极。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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