本发明涉及ZnS纳米晶半导体前驱体薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法，电解液含有摩尔比为（15-20）:（15-25）:（0.2-0.8）:（0.3+0.1）的Zn²⁺，S₂O₃^2-，表面活性剂、SO₃^2-，并含有氯化锂，电解液的pH值介于2.5-4.5之间；然后利用恒电流法或恒电位法，实现Zn、S二元素的共析结晶，生成纯净的六方相或立方相结构的ZnS前驱体薄膜。而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于250-500℃下恒温一段时间，均得到纯净的高取向性的结晶性更好的立方相ZnS纳米晶半导体薄膜。本发明所提供的方法可控性强，重复性好，所制备的ZnS纳米晶半导体薄膜无杂质，适用于薄膜太阳能电池的窗口层材料。