本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。该器件包括第一半导体层，形成于一半导体衬底之上，具有第二导电类型；阴极接触区，形成于第一半导体层上，为重掺杂，具有第一导电类型；保护环，形成于第一半导体层上，形成一肖特基窗口，具有第二导电类型，并与一保护环接触相连，其中保护环与所述第一半导体层的交界处为保护环界面；肖特基二极管金属接触，连接到第一半导体层，其与所述第一半导体层交界处为肖特基二极管界面，其中，肖特基二极管界面位于所述肖特基窗口内部，并与保护环隔开；以及电阻模块，耦接于肖特基二极管金属接触和保护环之间。此半导体器件在提升肖特基二极管正向电流的同时，不会牺牲低漏电流特性。